Les transistors à effet de champ à jonction à base de diamant peuvent être utilisés comme photocommutateurs non volatiles. L'effet de mémoire photocontrôlé dans ces transistors provient de l'absence de donneurs (azote) ionisés dans la région neutre du substrat de diamant Ib utilisé comme grille, formant une jonction pn avec le canal de conduction en diamant de type p. Dans ce travail, nous étudions l'impact de l'illumination et de la conception de différent positionnement de grilles sur la dynamique des transistors. La caractérisation électro-optique, y compris les transitoires de courant dans différentes conditions d'illumination, révèle des dépendances à la longueur d'onde et à la densité de puissance lumineuse. Cette étude montre que les architectures optimisées de ce dispositif ouvrent la voie à une commutation rapide et à des applications à haute tension.