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A Wide Tuning Range Delay Element for Event-Driven Processing of Low-Frequency Signals in 28-nm FD-SOI CMOS

Abstract : This paper presents a widely tunable digital delay element suitable for low-power low-frequency continuous-time digital signal processing systems. The design uses features of the 28 nm FD-SOI CMOS technology to precisely control currents in the pA range and significantly reduce leakage power. The measured tuning range is significantly larger than prior art covering more than 3 decades from 30 ns to 100 µs making it suitable for CT-DSP low frequency filters. At 0.7 V supply voltage, the dynamic power consumption is 15 fJ/event with a residual power consumption due to leakage of 14 pW.
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https://hal.univ-lille.fr/hal-03041576
Contributeur : Andreas Kaiser <>
Soumis le : samedi 5 décembre 2020 - 11:59:43
Dernière modification le : mercredi 16 décembre 2020 - 13:33:35

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Fichier visible le : 2021-03-05

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Citation

Angel Gonzalez, Antoine Frappé, Benoit Larras, Andreas Kaiser, Philippe Cathelin. A Wide Tuning Range Delay Element for Event-Driven Processing of Low-Frequency Signals in 28-nm FD-SOI CMOS. IEEE Solid-State Circuits Letters, 2020, 3, pp.198-201. ⟨10.1109/LSSC.2020.3010877⟩. ⟨hal-03041576⟩

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