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Communication dans un congrès

Effect of electronic doping on the plasticity of homoepitaxial 4H-SiC single crystals

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https://hal.univ-lille.fr/hal-02447241
Contributeur : Lilloa Université de Lille <>
Soumis le : mardi 21 janvier 2020 - 14:51:38
Dernière modification le : mardi 17 mars 2020 - 02:47:53

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J.L. Demenet, M Amer, Alexandre Mussi, Jacques Rabier. Effect of electronic doping on the plasticity of homoepitaxial 4H-SiC single crystals. Extended Defects in Semiconductors, Sep 2010, Brighton, United Kingdom. ⟨10.1088/1742-6596/281/1/012003⟩. ⟨hal-02447241⟩

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